パワーMOSFET、ゲート・ドライバ、保護回路を内蔵し、小型化、設計簡略化、組立の合理化を実現するフル・ブリッジSiPを発表

STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、600V/8Aの単相パワーMOSFETフル・ブリッジを搭載した小型（13 x 11mm）のシステム・イン・パッケージ（SiP）であるPWD13F60を発表しました。同製品は、産業用モータ・ドライバ、照明安定器、電源、コンバータ、インバータなどの部材コストおよび基板面積を削減します。

PWD13F60は、ディスクリート部品で構成した同等の回路と比べて、実装面積を60%小型化するほか、最終製品の電力密度を高めることができます。また、デュアルFETハーフ・ブリッジの製品や6個のFETを搭載する三相製品をはじめとした、市場で入手可能な一般的なモジュールと異なり、同製品は4個のパワーMOSFETを集積しています。そのため、単独で単相フル・ブリッジを実現できるほか、内蔵パワーMOSFETを過不足なく使用できるため、高効率な代替製品として使用できます。さらに、モジュールは1つのフル・ブリッジまたは、2つのハーフ・ブリッジとしても構成できるため、柔軟性にも優れています。

STの高耐圧BCD6s-Offlineプロセスで製造されるPWD13F60は、パワーMOSFET用のゲート・ドライバと、ハイサイド駆動用のブートストラップ・ダイオードを内蔵しています。そのため、外付け部品が不要で、基板設計の簡略化に加えて組立工程の効率化が可能です。また、ゲート・ドライバは、高い信頼性をもつスイッチングと、低いEMIを実現できるように最適化されています。このSiPは、貫通電流保護と減電圧ロックアウト（UVLO）も備えているため、さらなる実装面積の削減と同時に、システムの安全性も向上させることができます。

また、PWD13F60は、最低6.5Vから動作できる幅広い電源電圧範囲を備えているため、優れた柔軟性と設計の簡略化に貢献します。さらに、このSiPは3.3V～15Vのロジック信号を入力でき、マイクロコントローラ、デジタル・シグナル・プロセッサ（DSP）、およびホール・センサとの接続も簡単です。

PWD13F60は現在入手可能で、放熱効率に優れたマルチ・アイランドのVFQFPNパッケージで提供されます。単価は、1000個購入時に約2.65ドルです。

詳細については、www.st.com/pwd13f60-prをご覧ください。

注記
STは、More than Moore（MtM）による多様化という全体的なビジョンのもとで、高耐圧化、高電力化、高密度化という3つのロードマップに沿ってBCD（バイポーラ・CMOS・DMOS）プロセスの開発を進めています。BCD6s-Offline（0.32µm）、BCD6s-SOI（0.32µm）、BCD8s-SOI（0.16µm）が高耐圧プロセスで、BCD8sP （0.16µm）とBCD9s（0.11µm）が高密度プロセスです。STは、BCDプロセスのポートフォリオに加えて、もう1つのMtM技術であるSiP（複数のチップを積層、または平面に配置して1パッケージに集積）の専門性を有しています。そのため、スマートパワー・アプリケーションにおいて、性能の向上と新製品開発期間の短縮を実現するとともに、最適化された機能を提供することができます。高度に最適化された小型のPWD13F60は、MtM技術におけるSTのリーダーシップが実現した最新の製品です。